- 专利标题： ALINGAAS/INGAASP/INP EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER INCLUDING MULTIPLE MONOLITHIC LASER DIODES
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申请号： EP21730708.1申请日： 2021-05-10
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公开(公告)号： EP4158741A1公开(公告)日： 2023-04-05
- 发明人: ABOUJJA, Sidi , BEAN, David M.
- 申请人： Seminex Corporation
- 申请人地址： US Peabody MA 01960 100 Corporate Place, Suite 302
- 代理机构： Theunis, Patrick
- 优先权： US202016889963 20200602
- 国际公布： WO2021247201 20211209
- 主分类号： H01S5/30
- IPC分类号： H01S5/30 ; H01S5/343 ; H01S5/40
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