- 专利标题： PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CIRCUIT ÉLECTRONIQUE QUANTIQUE
- 专利标题（英）： METHOD FOR MANUFACTURING A QUANTUM ELECTRONIC CIRCUIT
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申请号： EP22198944.5申请日： 2022-09-30
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公开(公告)号： EP4160694A1公开(公告)日： 2023-04-05
- 发明人: NIEBOJEWSKI, Heimanu , BEDECARRATS, Thomas , BERTRAND, Benoit
- 申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment "Le Ponant D" 25 rue Leblanc
- 代理机构： Cabinet Camus Lebkiri
- 优先权： FR2110390 20211001
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L27/10 ; H01L29/423 ; H01L29/66 ; B82Y10/00
摘要：
L'invention concerne un procédé de fabrication d' un circuit électronique quantique comprenant une couche semi-conductrice destinée à recevoir des qubits dans des îlots quantiques. La couche qubits peut recevoir les qubits pendant leur stockage et leur manipulation.Un aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit (DISP) électronique quantique comprenant les étapes suivantes :
- graver une couche semiconductrice de manière à obtenir :
- une pluralité de piliers (PLR) chaque pilier semi-conducteur présentant une première extrémité, dite "base"; et
- une couche qubits (QBL) à la base de chaque pilier semiconducteur ;;
- oxyder le flanc de chaque pilier (PLR) ;
- former des lignes de couplage (CL) et des colonnes de couplage (CC) ; et
- déposer des couches de séparation (SEP1, SEP2, SEP3) en laissant dépasser une surface de contact (CS) de chaque pilier (PLR).
- graver une couche semiconductrice de manière à obtenir :
- une pluralité de piliers (PLR) chaque pilier semi-conducteur présentant une première extrémité, dite "base"; et
- une couche qubits (QBL) à la base de chaque pilier semiconducteur ;;
- oxyder le flanc de chaque pilier (PLR) ;
- former des lignes de couplage (CL) et des colonnes de couplage (CC) ; et
- déposer des couches de séparation (SEP1, SEP2, SEP3) en laissant dépasser une surface de contact (CS) de chaque pilier (PLR).
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