L'invention concerne un procédé de fabrication d' un circuit électronique quantique comprenant une couche semi-conductrice destinée à recevoir des qubits dans des îlots quantiques. La couche qubits peut recevoir les qubits pendant leur stockage et leur manipulation.Un aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit (DISP) électronique quantique comprenant les étapes suivantes :
- graver une couche semiconductrice de manière à obtenir :
- une pluralité de piliers (PLR) chaque pilier semi-conducteur présentant une première extrémité, dite "base"; et
- une couche qubits (QBL) à la base de chaque pilier semiconducteur ;;

- oxyder le flanc de chaque pilier (PLR) ;
- former des lignes de couplage (CL) et des colonnes de couplage (CC) ; et
- déposer des couches de séparation (SEP1, SEP2, SEP3) en laissant dépasser une surface de contact (CS) de chaque pilier (PLR).