DISPOSITIF DE PILOTAGE DE TRANSISTORS ET PROCÉDÉ DE PILOTAGE
摘要:
L'invention porte sur un dispositif de pilotage de transistors (1) FDSOI comprenant :
- Une pluralité de premiers caissons (21, 21a, 21b, 21c, 21d, 21e, 21f, 21g, 21h) présentant un premier type de conductivité (P), chaque premier caisson (21) étant associé à un groupe de transistors (20),
- Au moins un deuxième caisson (22, 22a, 22b, 22c, 22d) présentant un deuxième type de conductivité (N), formé sous et autour des premiers caissons (21),
- Un circuit de polarisation configuré pour appliquer au moins une première tension de polarisation V1 aux premiers caissons (21), et au moins une deuxième tension de polarisation V2 à au moins un deuxième caisson (22),
Avantageusement, tous les transistors (20) présentent le deuxième type de conductivité (N).
L'invention porte également sur un procédé de pilotage du dispositif précédent.
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