- 专利标题: VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINES KORNORIENTIERTEN ELEKTROBANDS UND KORNORIENTIERTES ELEKTROBAND
- 专利标题(英): METHOD FOR PRODUCING A GRAIN-ORIENTED ELECTRICAL STRIP, AND GRAIN-ORIENTED ELECTRICAL STRIP
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申请号: EP22215198.7申请日: 2022-12-20
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公开(公告)号: EP4202068A1公开(公告)日: 2023-06-28
- 发明人: SCHEPERS, Carsten , HECHT, Dr. Christian , SANDMANN, Alice , ALLWARDT, Andreas , LAHN, Ludger
- 申请人: ThyssenKrupp Electrical Steel GmbH
- 申请人地址: DE 45881 Gelsenkirchen Kurt-Schumacher-Strasse 95
- 代理机构: Cohausz & Florack
- 优先权: EP21216484 20211221
- 主分类号: C21D3/04
- IPC分类号: C21D3/04 ; C21D8/12 ; C21D9/46 ; C22C38/00 ; C22C38/02 ; C22C38/04 ; C22C38/06 ; C22C38/20 ; H01F1/147
摘要:
Die Erfindung ermöglicht die Herstellung von kornorientierten Elektrobändern mit optimal ausgebildeter und haftender Forsteritschicht. Dazu werden aus a) entkohlend geglühten; primärrekristallisierten kaltgewalzten Stahlbändern b) diejenigen ausgewählt, für die das Ergebnis einer ToF-SIMS-Untersuchung, bei der die Oberfläche mit Cs-Ionen mit einer Beschleunigungsspannung von 2keV als Sputtermaterial und Bi-Ionen mit einer Beschleunigungsspannung von 25keV als Analyseionen beschossen wird, folgende Bedingung 1 erfüllt: Der Wert des aus dem Signal "Al an Cs gebunden" und dem Signal "Al nicht an Cs gebunden" gebildeten Quotienten ist bis in eine Tiefe von 8 µm 2 -Partikeln und ≤ 0,5 Masse-% Additiven aufgetragen. Dabei gilt: (i) 0 2 -Gehalt und %MgO = MgO-Gehalt, (ii) %TiO_Anatas/%TiO_Rutil > %N x AlCs/Al ToF-SIMS , mit %TiO_Anatas und %TiO_Rutil = Anatas- bzw. Rutil-Anteilen an dem TiOz -Gehalt der Schlemme, %N = N-Gehalt des Stahlbands in Masse-ppm und AlCs/Al ToF-SIMS = Quotient aus den bei der ToF-SIMS-Untersuchung in einer Sputtertiefe von 3 µm die gewonnenen Signale "Al an Cs gebunden" und "Al nicht an Cs gebunden". Das beschichtete Stahlband wird d) unter Ausbildung der Forsteritschicht (Mg 2 SiO 4 ) aus der im Arbeitsschritt c) aufgetragenen Klebschutzschicht geglüht.
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