DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION

发明公开

EP4205184A1 DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION 审中-公开

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专利标题： DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION
申请号： EP21766488.7

申请日： 2021-08-27
公开(公告)号： EP4205184A1

公开(公告)日： 2023-07-05
发明人: LISCHKE, Stefan
申请人： IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
申请人地址： DE 15236 Frankfurt (Oder) Im Technologiepark 25
代理机构： Eisenführ Speiser
优先权： EP20200240 20201006
国际公布： WO2022043513 20220303
主分类号： H01L31/105
IPC分类号： H01L31/105 ; H01L31/0232 ; H01L31/028 ; H01L31/0224 ; H01L31/0352 ; H01L31/18 ; G02F1/025

DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/08	.其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31/10	..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管
H01L31/101	...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/102	....仅以一个势垒或面垒为特征的
H01L31/105	.....为PIN型势垒的