- 专利标题： SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT USING A VAPORIZED DOPANT
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申请号： EP21848493.9申请日： 2021-12-31
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公开(公告)号： EP4271864A1公开(公告)日： 2023-11-08
- 发明人: WU, Yu-Chiao , LUTER, William Lynn , PHILLIPS, Richard J. , EOFF, James Dean
- 申请人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 申请人地址： TW Hsinchu No. 8 Industrial East Road 2 Science-Based Industrial Park
- 代理机构： Maiwald GmbH
- 优先权： US202017139367 20201231
- 国际公布： WO2022147344 20220707
- 主分类号： C30B15/04
- IPC分类号： C30B15/04 ; C30B29/06
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