- 专利标题： STRAIN COMPENSATED RARE EARTH GROUP III-NITRIDE HETEROSTRUCTURES
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申请号： EP22737284.4申请日： 2022-01-11
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公开(公告)号： EP4275276A1公开(公告)日： 2023-11-15
- 发明人: LOGAN, John A. , SORIC, Jason C. , PECZALSKI, Adam E. , SCHULTZ, Brian D. , CHUMBES, Eduardo M.
- 申请人： Raytheon Company
- 申请人地址： US Waltham, MA 02451-1449 870 Winter Street
- 代理机构： Dentons UK and Middle East LLP
- 优先权： US202117145665 20210111
- 国际公布： WO2022150752 20220714
- 主分类号： H03H3/02
- IPC分类号： H03H3/02 ; H03H3/08 ; H03H9/02 ; H03H9/13 ; H03H9/17 ; H03H9/54 ; H03H9/64
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