- 专利标题： PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE PHOTONIQUE
- 专利标题（英）： METHOD FOR MANUFACTURING A PHOTONIC CHIP
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申请号： EP23176231.1申请日： 2023-05-30
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公开(公告)号： EP4286926A1公开(公告)日： 2023-12-06
- 发明人: SZELAG, Bertrand , HASSAN, Karim
- 申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment "Le Ponant D" 25 rue Leblanc
- 代理机构： INNOV-GROUP
- 优先权： FR2205261 20220601
- 主分类号： G02F1/025
- IPC分类号： G02F1/025 ; H01L21/02
摘要：
Ce procédé comporte :
- avant le collage d'un substrat sur une couche de matériau semi-conducteur encapsulé dans laquelle est réalisée une première partie d'un composant optique, la réalisation (91) de plots enfoncés à l'intérieur d'une couche enterrée en oxyde de silicium, chacun de ces plots comportant une face enfouie qui s'étend parallèlement à une interface entre la couche enterrée et la couche en matériau semi-conducteur encapsulé à une profondeur prédéterminée à l'intérieur de la couche enterrée, chacune des faces enfouies étant réalisée dans un matériau différent de l'oxyde de silicium, puis
- l'amincissement (128) de la couche enterrée pour laisser subsister une couche résiduelle en oxyde de silicium sur la couche en matériau semi-conducteur encapsulé, cette amincissement comportant une opération d'amincissement de la couche enterrée avec arrêt de cet amincissement dès que la face enfouie des plots est mise à nue.
- avant le collage d'un substrat sur une couche de matériau semi-conducteur encapsulé dans laquelle est réalisée une première partie d'un composant optique, la réalisation (91) de plots enfoncés à l'intérieur d'une couche enterrée en oxyde de silicium, chacun de ces plots comportant une face enfouie qui s'étend parallèlement à une interface entre la couche enterrée et la couche en matériau semi-conducteur encapsulé à une profondeur prédéterminée à l'intérieur de la couche enterrée, chacune des faces enfouies étant réalisée dans un matériau différent de l'oxyde de silicium, puis
- l'amincissement (128) de la couche enterrée pour laisser subsister une couche résiduelle en oxyde de silicium sur la couche en matériau semi-conducteur encapsulé, cette amincissement comportant une opération d'amincissement de la couche enterrée avec arrêt de cet amincissement dès que la face enfouie des plots est mise à nue.
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