- 专利标题： PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE A BASE DE CARBURE DE SILICIUM ET STRUCTURE COMPOSITE INTERMEDIAIRE
- 专利标题（英）： METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE-BASED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND INTERMEDIATE COMPOSITE STRUCTURE
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申请号： EP22712958.2申请日： 2022-03-03
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公开(公告)号： EP4305664A1公开(公告)日： 2024-01-17
- 发明人: GAUDIN, Gweltaz , MALEVILLE, Christophe , RADU, Ionut , BIARD, Hugo
- 申请人： SOITEC
- 申请人地址： FR 38190 Bernin Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques
- 代理机构： IP Trust
- 优先权： FR2102306 20210309
- 国际公布： WO2022189732 20220915
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L21/683 ; H01L21/02
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