La présente description concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique (45) comportant les étapes successives suivantes :
a) formation d'une première couche sur et en contact avec une deuxième couche semiconductrice (13), la deuxième couche étant sur et en contact avec une troisième couche semiconductrice (15) ;
b) dopage de la première couche de sorte à former, sur la deuxième couche, une première sous-couche (51) dopée du premier type de conductivité (N) et une deuxième sous-couche (49) dopée du deuxième type de conductivité (P) ;
c) formation d'ilots (47) dans la première couche organisés selon une matrice de lignes et de colonnes à la surface de la deuxième couche (13) ; et
d) formation de points mémoires (M1) à base d'un matériau à changement de phase (33) sur les ilots (47) de la première couche.