- 专利标题： MAGNETO-ELECTRIC LOW POWER ANALOGUE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION MEMORY
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申请号： EP22801432.0申请日： 2022-10-11
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公开(公告)号： EP4409575A1公开(公告)日： 2024-08-07
- 发明人: ZARE, Saba , HOUSSAMEDDINE, Dimitri , YOGENDRA, Karthik , WU, Heng
- 申请人： International Business Machines Corporation
- 申请人地址： US Armonk, NY 10504 New Orchard Place
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US Armonk, NY 10504 New Orchard Place
- 代理机构： IBM United Kingdom Limited
- 优先权： US 2117510436 2021.10.26
- 国际申请： EP2022078319 2022.10.11
- 国际公布： WO2023072589 2023.05.04
- 主分类号： G11C11/15
- IPC分类号： G11C11/15 ; H10N50/10 ; G11C11/16
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