- 专利标题： PROCEDE POUR FABRIQUER UNE STRUCTURE GAN/INGAN RELAXÉE
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申请号： EP24178820.7申请日： 2020-12-18
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公开(公告)号： EP4418308A2公开(公告)日： 2024-08-21
- 发明人: PERNEL, Carole , DUSSAIGNE, Amélie
- 申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment le Ponant 25, rue Leblanc
- 专利权人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 当前专利权人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 当前专利权人地址： FR 75015 Paris Bâtiment le Ponant 25, rue Leblanc
- 代理机构： Brevalex
- 优先权： FR 14962 2019.12.19
- 分案原申请号： 20215515.6 2020.12.18
- 主分类号： H01L21/3063
- IPC分类号： H01L21/3063
摘要：
Procédé comprenant les étapes suivantes :
a) fournir un dispositif comprenant :
- une structure GaN/InGaN comprenant une couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) recouverte localement par des mésas d'InGaN (100) comprenant une couche d'InGaN dopée (101) et une couche d'InGaN non dopée ou faiblement dopée (102),
- une couche électriquement isolante (300) recouvrant la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) entre les mésas (100),
b) relier la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) et une contre-électrode (500) à un générateur de tension ou de courant,
c) plonger le dispositif et la contre-électrode (500) dans une solution électrolytique,
d) appliquer une tension ou un courant entre la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) et la seconde électrode (500) pour porosifier la couche d'InGaN dopée (101),
e) former une couche d'InGaN par épitaxie sur les mésas d'InGaN (100), moyennant quoi on obtient une couche d'InGaN épitaxiée relaxée (400).
a) fournir un dispositif comprenant :
- une structure GaN/InGaN comprenant une couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) recouverte localement par des mésas d'InGaN (100) comprenant une couche d'InGaN dopée (101) et une couche d'InGaN non dopée ou faiblement dopée (102),
- une couche électriquement isolante (300) recouvrant la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) entre les mésas (100),
b) relier la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) et une contre-électrode (500) à un générateur de tension ou de courant,
c) plonger le dispositif et la contre-électrode (500) dans une solution électrolytique,
d) appliquer une tension ou un courant entre la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) et la seconde électrode (500) pour porosifier la couche d'InGaN dopée (101),
e) former une couche d'InGaN par épitaxie sur les mésas d'InGaN (100), moyennant quoi on obtient une couche d'InGaN épitaxiée relaxée (400).
公开/授权文献
- EP4418308A3 PROCEDE POUR FABRIQUER UNE STRUCTURE GAN/INGAN RELAXÉE 公开/授权日：2024-11-06
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