- 专利标题： (AL)GA2O3/(MG)NIO HÉTÉROJONCTIONS TERNAIRES POUR LES APPLICATIONS ÉLECTRONIQUES ET OPTOÉLECTRONIQUES
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申请号： EP24157206.4申请日： 2024-02-12
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公开(公告)号： EP4439682A1公开(公告)日： 2024-10-02
- 发明人: Rogers, David J. , Hosseini-Teherani, Ferechteh , Sandana, Vinod E. , Bove, Philippe H.
- 申请人： Rogers, David J. , Hosseini-Teherani, Ferechteh , Sandana, Vinod E. , Bove, Philippe H.
- 申请人地址： FR 10300 Sainte Savine 4 rue du Grand Air
- 专利权人： Rogers, David J.,Hosseini-Teherani, Ferechteh,Sandana, Vinod E.,Bove, Philippe H.
- 当前专利权人： Rogers, David J.,Hosseini-Teherani, Ferechteh,Sandana, Vinod E.,Bove, Philippe H.
- 当前专利权人地址： FR 10300 Sainte Savine 4 rue du Grand Air
- 代理机构： Setayesh Bamas, Sousan
- 优先权： FR 01291 2023.02.12
- 主分类号： H01L31/109
- IPC分类号： H01L31/109 ; H01L31/032 ; H01L29/24
摘要：
Diode bipolaire ou PIN à hétérojonction verticale à base d'hétérostructures entre les alliages ternaires (Mg)NiO et (AI)Ga2O3 ou (Mg)NiO/i-MgO/(AI)Ga2O3 ou (Mg)NiO/Al2O3/(Al)Ga2O3) caractérisée en ce que le (Mg)NiO étant de type p, le (Al)Ga2O3 étant de type n et la couche intrinsèque soit en MgO ou AI2O3, et que les bandes interdites de Ga2O3 et de NiO ont été augmentées par des alliages avec AI et/ou Mg afin de concevoir de manière appropriée l'alignement desdites bandes interdites et d'optimiser l'injection de porteurs pour permettre le fonctionnement plus efficace de la diode, l'opération d'un photodétecteur à des longueurs d'onde plus courtes et l'opération de l'électronique de puissance à des tensions plus élevées.
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