- 专利标题： Electro-optical devices based on a change in the absorption or the rate at Isb transition
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申请号： JP2012522238申请日： 2010-07-30
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公开(公告)号： JP2013500505A公开(公告)日： 2013-01-07
- 发明人: フランソワ ジュリアン , アナトール リュプ , マリア チェルニチェヴァ , ローラン ヌヴー
- 申请人： ユニヴェルシテ パリ−スュッド オンズUniversite Paris−Sud 11 , サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェ シアンティフィクCentre National De La Recherche Scientifique
- 专利权人： ユニヴェルシテ パリ−スュッド オンズUniversite Paris−Sud 11,サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェ シアンティフィクCentre National De La Recherche Scientifique
- 当前专利权人： ユニヴェルシテ パリ−スュッド オンズＵｎｉｖｅｒｓｉｔｅ Ｐａｒｉｓ−Ｓｕｄ １１,サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェ シアンティフィクＣｅｎｔｒｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｅ Ｌａ Ｒｅｃｈｅｒｃｈｅ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｑｕｅ
- 优先权： FR0955365 2009-07-30
- 主分类号： G02F1/017
- IPC分类号： G02F1/017 ; H01S5/343
摘要：
本発明は、２種類のＩＩＩ族元素の窒化物材料間の量子閉じ込めによる、典型的には、ＧａＮ／ＡｌＮによる、サブバンド間遷移を備えた電気光学素子に関する。 本発明は、前記素子を包含するデバイス又はシステム、並びに前記素子の製造方法にも関する。 本発明によれば、前記素子（２）は１つ以上のＮドープされた量子井戸構造（ＱＷ１，ＱＷ２，ＱＷ３）を囲む少なくとも２つのいわゆる外側障壁層（ＢＬ０，ＢＬ３）を包含する少なくとも１つの活性領域（２３）を含み、前記量子井戸（１つ以上）は、各々が、少なくとも５単原子層の厚さの非意図的にドープされた２つの障壁領域（ＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３）によって囲まれていることを特徴とする。
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