发明专利
- 专利标题： Ｇａ含有酸化物層成長用&bgr;−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板
- 专利标题（英）： β-Ga2O3-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR GROWING Ga-CONTAINING OXIDE LAYER
- 专利标题（中）： 用于生长含Ga氧化物层的基于Ga 2 O 3的单晶基板
-
申请号： JP2014179414申请日： 2014-09-03
-
公开(公告)号： JP2014221719A公开(公告)日： 2014-11-27
- 发明人: SASAKI KOHEI
- 申请人： 株式会社タムラ製作所 , Tamura Seisakusho Co Ltd
- 专利权人： 株式会社タムラ製作所,Tamura Seisakusho Co Ltd
- 当前专利权人： 株式会社タムラ製作所,Tamura Seisakusho Co Ltd
- 优先权： JP2011196430 2011-09-08
- 主分类号： C30B29/16
- IPC分类号： C30B29/16
摘要：
【課題】結晶を効率よくエピタキシャル成長させて高品質な&bgr;−Ga2O3系結晶膜を得ることができるGa含有酸化物層成長用&bgr;−Ga2O3系単結晶基板を提供する。【解決手段】(100)面からb軸あるいはc軸を回転軸として50?以上90?以下回転させた面を主面として有するGa含有酸化物層成長用&bgr;−Ga2O3系単結晶基板を提供する。【選択図】図1
公开/授权文献
- JP5952360B2 Ga含有酸化物層成長用β−Ga2O3系単結晶基板 公开/授权日：2016-07-13
信息查询
IPC分类:
