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Invention Patent
JP2015135897A 半導体光素子の製造方法 有权
制造半导体光学元件的方法

  • Patent Title: 半導体光素子の製造方法
  • Patent Title (English): Method of manufacturing semiconductor optical element
  • Patent Title (中): 制造半导体光学元件的方法
  • Application No.: JP2014006750
    Application Date: 2014-01-17
  • Publication No.: JP2015135897A
    Publication Date: 2015-07-27
  • Inventor: 辻 幸洋
  • Applicant: 住友電気工業株式会社
  • Applicant Address: 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
  • Assignee: 住友電気工業株式会社
  • Current Assignee: 住友電気工業株式会社
  • Current Assignee Address: 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
  • Agent 長谷川 芳樹; 黒木 義樹; ▲高▼木 邦夫
  • Main IPC: H01L21/3065
  • IPC: H01L21/3065 ;  H01S5/227
半導体光素子の製造方法
Abstract:
【課題】ドライエッチングにおいてマイクロマスクの発生を抑制できる半導体光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】プロセスチャンバ10aの内側におけるH 2 O分子比率を基準範囲に調整するステップS1と、調整後のプロセスチャンバ10aの内側においてウェハWa,Wbを配置し、ウェハWa,Wbから量子カスケードレーザ1a,1bの基板生産物を形成するステップS2とを備え、プロセスチャンバ10aの内側の表面にはアルマイト処理が施されており、ステップS1は、前記プロセスチャンバに真空引きを行うステップS1aとプロセスチャンバ10aの内側の表面をドライクリーニングするステップS1bとプロセスチャンバ10aの内側にハロゲン系のガスを用いてプラズマを発生させるステップS1cとを備る。 【選択図】図4
Abstract(Chinese):

要解决的问题：提供一种制造能够抑制干蚀刻中的微区别产生的半导体光学元件的方法。方法：一种方法，包括：步骤S1，其调节处理室10a内的HO分子的比例， 参考范围; 以及将晶片Wa和Wb布置在调整处理室10a中的步骤S2，以及从晶片Wa和Wb形成量子级联激光器1a和1b的衬底产物。 对处理室10a的内表面进行防氧化处理。 步骤S1包括：对处理室执行真空抽吸的步骤S1a; 执行处理室10a的内表面的干洗的步骤S1b; 以及通过使用卤素类气体在处理室10a中产生等离子体的步骤S1c。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
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