发明专利
- 专利标题： パターントリミング組成物及び方法
- 专利标题（英）： Pattern trimming compositions and methods
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申请号： JP2017029901申请日： 2017-02-21
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公开(公告)号： JP2017161898A公开(公告)日： 2017-09-14
- 发明人: ケビン・ローウェル , コン・リュー , チェン−バイ・スー , アーヴィンダー・カー , ジョン−クン・パク
- 申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- 申请人地址： アメリカ合衆国、マサチューセッツ 01752、マールボロ、フォレスト・ストリート 455
- 专利权人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー,Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- 当前专利权人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー,Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国、マサチューセッツ 01752、マールボロ、フォレスト・ストリート 455
- 代理商 特許業務法人センダ国際特許事務所
- 优先权： US15/062,701 2016-03-07
- 主分类号： C08F212/00
- IPC分类号： C08F212/00 ; C08F220/18 ; C08F220/24 ; G03F7/40
摘要：
【課題】半導体デバイスの製造において、微細リソグラフィーパターンの形成に有用な、フォトレジストパターントリミング組成物及びフォトレジストパターンをトリミングする方法を提供する。 【解決手段】フォトレジストパターントリミング組成物は、0.26の規定度の水性テトラメチル水酸化アンモニウム溶液中で可溶性であるポリマーと、溶媒系と、を含み、溶媒系は、溶媒系に基づいて50〜98重量%の合計量の1つ以上のモノエーテル溶媒を含む。 【選択図】なし
公开/授权文献
- JP6581130B2 パターントリミング組成物及び方法 公开/授权日：2019-09-25
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