- 专利标题： ゲルマニウムまたは酸化ゲルマニウムの原子層堆積
- 专利标题（英）： Atomic layer deposition of germanium or germanium oxide
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申请号： JP2016549415申请日： 2014-03-04
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公开(公告)号： JP2017508883A公开(公告)日： 2017-03-30
- 发明人: ウェイ−ミン リー , ウェイ−ミン リー
- 申请人： ピコサン オーワイPicosun Oy , ピコサン オーワイPicosun Oy
- 申请人地址： フィンランド共和国 FI−02150 エスポー ティエトティエ 3
- 专利权人： ピコサン オーワイPicosun Oy,ピコサン オーワイPicosun Oy
- 当前专利权人： ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ,ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ
- 当前专利权人地址： フィンランド共和国 FI−02150 エスポー ティエトティエ 3
- 代理商 川守田 光紀
- 优先权： FI2014050155 2014-03-04
- 国际申请： FI2014050155 JP 2014-03-04
- 国际公布： WO2015132445 JP 2015-09-11
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; H01L21/205 ; H01L21/31 ; H01L21/316
摘要：
ゲルマニウムを基板に堆積させるプロセスであって、少なくとも1つの堆積サイクルにおいて、室内の基板を、Ge含有前駆体および還元前駆体または酸化前駆体に順次暴露することを含む。【選択図】なし
公开/授权文献
- JP6302081B2 ゲルマニウムまたは酸化ゲルマニウムの原子層堆積 公开/授权日：2018-03-28
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