Invention Patent
- Patent Title: 窒化膜の形成方法および形成装置
- Patent Title (English): JP2018022716A - Method and device for forming oxynitride film
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Application No.: JP2016150985Application Date: 2016-08-01
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Publication No.: JP2018022716APublication Date: 2018-02-08
- Inventor: 宮原 孝広 , 鈴木 大介 , 村上 博紀
- Applicant: 東京エレクトロン株式会社
- Applicant Address: 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- Assignee: 東京エレクトロン株式会社
- Current Assignee: 東京エレクトロン株式会社
- Current Assignee Address: 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- Agent 高山 宏志
- Main IPC: C23C16/04
- IPC: C23C16/04 ; C23C16/42 ; C23C16/02 ; H01L21/318
Abstract:
【課題】下地膜によって選択的な膜形成が可能な窒化膜の形成方法および形成装置を提供する。 【解決手段】窒化膜に対し相対的にインキュベーションタイムが長い材料からなる第1の下地膜と、相対的にインキュベーションタイムが短い材料からなる第2の下地膜とを有する被処理基板に対し、原料ガスおよび窒化ガスを用いて、ALDまたはCVDにより窒化膜を成膜する工程と、エッチングガスを供給して、第1の下地膜上の窒化物をエッチング除去し、前記第1の下地膜の膜面を露出させる工程とを繰り返す。 【選択図】図3
Public/Granted literature
- JP6671262B2 窒化膜の形成方法および形成装置 Public/Granted day:2020-03-25
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IPC分类:
