发明专利
- 专利标题： 半導体装置および半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）： JP2018152506A - Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
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申请号： JP2017048800申请日： 2017-03-14
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公开(公告)号： JP2018152506A公开(公告)日： 2018-09-27
- 发明人: 五十嵐 覚 , 加藤 伸二郎 , 長谷川 尚 , 秋野 勝 , 井村 行宏
- 申请人： エイブリック株式会社
- 申请人地址： 千葉県千葉市美浜区中瀬一丁目8番地
- 专利权人： エイブリック株式会社
- 当前专利权人： エイブリック株式会社
- 当前专利权人地址： 千葉県千葉市美浜区中瀬一丁目8番地
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L21/60 ; H01L21/3205
摘要：
【課題】窒化チタンからなる反射防止膜上にシリコン酸化膜が設けられていても、窒化チタンからなる反射防止膜の腐食が生じにくく、1回のフォトリソグラフィー工程によりパッド部を開口できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上に設けられたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線膜6と、配線膜6上に設けられた窒化チタン膜7とからなる配線層5と、配線層5の上面5aおよび側面5bを覆う保護層9と、保護層9と窒化チタン膜7とを貫通し、配線膜6が露出されてなるパッド部8とを有し、保護層9が、第1シリコン窒化膜41と酸化膜3と第2シリコン窒化膜42とが配線層5側からこの順で積層されたものである半導体装置10とする。 【選択図】図1
公开/授权文献
- JP6783688B2 半導体装置および半導体装置の製造方法 公开/授权日：2020-11-11
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IPC分类:
