发明专利
JP2018532275A 半導体モジュール
审中-公开
- 专利标题: 半導体モジュール
- 专利标题(英): JP2018532275A - Semiconductor module
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申请号: JP2018521822申请日: 2016-10-14
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公开(公告)号: JP2018532275A公开(公告)日: 2018-11-01
- 发明人: ハートマン,サミュエル , シュラプバッハ,ウルリヒ
- 申请人: アーベーベー・シュバイツ・アーゲー
- 申请人地址: スイス国、シーエイチ−5400 バーデン、ブラウン・ボベリ・シュトラーセ 6
- 专利权人: アーベーベー・シュバイツ・アーゲー
- 当前专利权人: アーベーベー・シュバイツ・アーゲー
- 当前专利权人地址: スイス国、シーエイチ−5400 バーデン、ブラウン・ボベリ・シュトラーセ 6
- 代理商 特許業務法人深見特許事務所
- 优先权: EP15192123.6 2015-10-29
- 国际申请: EP2016074733 JP 2016-10-14
- 国际公布: WO2017071976 JP 2017-05-04
- 主分类号: H01L25/18
- IPC分类号: H01L25/18 ; H01L25/07
摘要:
半導体モジュール(10)は、基板プレート(14)と、基板プレート(14)上のコレクタ導体(16)に取付けられた半導体スイッチチップ(22a)およびダイオードチップ(24a)とを含む。ダイオードチップ(24a)は半導体スイッチチップ(22a)に反平列に電気的に接続されている。半導体スイッチチップ(22a)は、ボンドワイヤ(28)を介して基板プレート(14)上のエミッタ導体(18)に電気的に接続されて、第1のエミッタ電流経路(50a)をもたらし、当該エミッタ導体(18)はダイオードチップ(24a)に対して半導体スイッチチップ(22a)の反対側に配置されている。半導体スイッチチップ(22a)のゲート電極(40a)は、ボンドワイヤ(28)を介して基板プレート(14)上のゲート導体(20)に電気的に接続されて、ゲート電流経路(54a)をもたらし、当該ゲート導体(18)がダイオードチップ(24a)に対して半導体スイッチチップ(22a)の反対側に配置されている。エミッタ導体(18)の突出領域(44)がダイオードチップ(24a)の傍において第1の半導体スイッチチップ(22a)に向かって延びており、第1の半導体スイッチチップ(22a)は、ボンドワイヤ(28)を介して突出領域(44)と直接接続されて、ゲート電流経路(54a)に沿って少なくとも部分的に延びる付加的なエミッタ電流経路(52)をもたらす。半導体スイッチチップ(22a)は第1の半導体スイッチチップであり、ダイオードチップ(24a)は第1のダイオードチップであって、これらは第1の列(42a)に配置されている。半導体モジュール(10)はさらに、コレクタ導体(16)に取付けられた第2の半導体スイッチチップ(22b)と第2のダイオードチップ(24a,24b)との第2の列(42b)を含む。各々の列のダイオードチップ(24a,24b)は、同じ列の半導体スイッチチップ(22a,22b)と反平列に電気的に接続されており、第1の列および第2の列(42a,42b)は並列に電気的に接続されている。第1の半導体スイッチチップ(22a)は第2のダイオードチップ(24b)の傍に配置され、第2の半導体チップ(22b)は第1のダイオードチップ(24a)の傍に配置されている。
公开/授权文献
- JP6466030B2 半導体モジュール 公开/授权日:2019-02-06
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