发明专利
- 专利标题： 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
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申请号： JP2019132935申请日： 2019-07-18
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公开(公告)号： JP2020023479A公开(公告)日： 2020-02-13
- 发明人: 増山 達郎 , 市川 幸司
- 申请人： 住友化学株式会社
- 申请人地址： 東京都中央区新川二丁目27番1号
- 专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都中央区新川二丁目27番1号
- 代理商 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
- 优先权： JP2018139153 2018-07-25
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/039 ; G03F7/038 ; G03F7/20 ; C09K3/00 ; C07D305/06 ; C07D303/16 ; C07D327/06
摘要：
【課題】半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、該塩を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法の提供。 【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。 (Q 1 、Q 2 F、C1〜6ペルフルオロアルキル。R 1 、R 2 :H、F、C1〜6ペルフルオロアルキル。z:0〜6。X 1 :−CO−O−、−O−CO−、−O−CO−O−、−O−。L 1 :単結合又はC1〜6アルカンジイル。t1:1、2。t2:0、1。t1+t2:1、2。R 3 :C1〜12アルキル。R 4 :C1〜16炭化水素。u1:0〜8。m:0〜3) 【選択図】なし
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