发明专利
- 专利标题: 光学的放射を拡大する量子ドットの製作方法
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申请号: JP2020516752申请日: 2018-04-13
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公开(公告)号: JP2020536983A公开(公告)日: 2020-12-17
- 发明人: リン,ステファニー,ジェイ. , チョウ,ジェームズ アール , スパリオス,カリン
- 申请人: レイセオン カンパニー
- 申请人地址: アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 02451−1449 ウォルサム ウィンター ストリート 870
- 专利权人: レイセオン カンパニー
- 当前专利权人: レイセオン カンパニー
- 当前专利权人地址: アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 02451−1449 ウォルサム ウィンター ストリート 870
- 代理商 伊東 忠重; 伊東 忠彦; 宮崎 修
- 优先权: US15/711,180 2017-09-21
- 国际申请: US2018027427 JP 2018-04-13
- 国际公布: WO2019059966 JP 2019-03-28
- 主分类号: H01L33/50
- IPC分类号: H01L33/50 ; C09K11/88 ; C09K11/66 ; B82Y40/00 ; B82Y20/00 ; B82Y30/00 ; C01B19/04 ; C01G21/21 ; C09K11/56 ; C09K11/08
摘要:
いくつかの実施態様において、第1の半導体材料を蒸発させて、気相凝縮物を生成する。気相凝縮物は、ナノ粒子を形成させる。ナノ粒子をアニーリングして、ナノ粒子又はコアを得る。コアは、コーディネート溶媒中に第2の半導体材料前駆体を含む溶剤を所望の高温でコアの懸濁物に導入し、シェルがコア内へと拡散するのに十分な時間混合することによって、オーバーコートされる。コア内へのシェルの拡散により、量子ドットは、拡大した光学的放射を示す。製造された量子ドットは、量子ドットベースの放射線源に組み込むことができる。
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