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Invention Patent
JP2021192453A 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 审中-公开

配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法
Abstract:
【課題】微細化に伴う配線層の抵抗値の増加を抑制できる配線構造体等を提供する。 【解決手段】本開示による配線構造体1は、金属元素を主成分とし、一方向に延在する配線層10と、配線層10に対向する金属層20と、配線層10と金属層20との間に位置し、少なくとも前記一方向に直交する面で切断したときの断面視において配線層10および金属層20のそれぞれと接している固体電解質層30と、を備え、配線層10の側面と固体電解質層30の側面とが面接触しており、固体電解質層30の側面と金属層20の側面とが面接触しており、配線層10と金属層20とは、固体電解質層30を介して電気的に絶縁されている。 【選択図】図1A
Abstract(English):

To provide a wiring structure and the like capable of inhibiting a resistance value of a wiring layer from being increased by miniaturization.SOLUTION: A wiring structure 1 comprises: a wiring layer 10 that contains metallic elements as a principal component and extends in one direction; a metal layer 20 facing the wiring layer 10; and a solid electrolyte layer 30 that is positioned between the wiring layer 10 and the metal layer 20 and is in contact with each of the wiring layer 10 and the metal layer 20, at least in a cross-sectional view when the wiring structure is cut at a plane orthogonal to the one direction. A side surface of the wiring layer 10 is in surface contact with a side surface of the solid electrolyte layer 30. A side surface of the solid electrolyte layer 30 is in surface contact with a side surface of the metal layer 20. The wiring layer 10 and the metal layer 20 are electrically insulated from each other via the solid electrolyte layer 30.SELECTED DRAWING: Figure 1A

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