Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device having a stacked structure

Invention Patent

JP5068273B2 Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device having a stacked structure 有权

Patent Title: Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device having a stacked structure
Application No.: JP2009014261

Application Date: 2009-01-26
Publication No.: JP5068273B2

Publication Date: 2012-11-07
Inventor: ザオハイ−ジュン , チェンミン−リャン
Applicant: プロモステクノロジーズインコーポレイテッドProMOS Technologies Inc.
Assignee: プロモステクノロジーズインコーポレイテッドProMOS Technologies Inc.
Current Assignee: プロモステクノロジーズインコーポレイテッドＰｒｏＭＯＳＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓＩｎｃ．
Priority: US684508 2008-02-01
Main IPC: H01L21/02
IPC: H01L21/02 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/522

Public/Granted literature

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理