- 专利标题： Method of fabricating a non-volatile memory device
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申请号： JP2011517490申请日： 2009-07-02
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公开(公告)号： JP5227455B2公开(公告)日： 2013-07-03
- 发明人: ピング，アー−シユエン , タクール，ランドヒール , ショイグラフ，クラウス
- 申请人： サンディスク スリーディー,エルエルシー
- 专利权人： サンディスク スリーディー,エルエルシー
- 当前专利权人： サンディスク スリーディー，エルエルシー
- 优先权： US21692408 2008-07-11
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L21/329 ; H01L27/105 ; H01L29/861 ; H01L29/868 ; H01L45/00 ; H01L49/00
公开/授权文献
- JP2011527832A Method of fabricating a non-volatile memory device 公开/授权日：2011-11-04
信息查询
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