- 专利标题: A method of manufacturing a semiconductor device built-in substrate and a semiconductor device embedded substrate
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申请号: JP2009224672申请日: 2009-09-29
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公开(公告)号: JP5445001B2公开(公告)日: 2014-03-19
- 发明人: 正紀 伊藤
- 申请人: 沖電気工業株式会社
- 专利权人: 沖電気工業株式会社
- 当前专利权人: 沖電気工業株式会社
- 优先权: JP2009224672 2009-09-29
- 主分类号: H01L23/12
- IPC分类号: H01L23/12
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