パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜

发明专利

JP5663440B2 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜有权

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专利标题： パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
专利标题（英）： Pattern forming method, a chemically amplified resist composition, and the resist film
申请号： JP2011197410

申请日： 2011-09-09
公开(公告)号： JP5663440B2

公开(公告)日： 2015-02-04
发明人: 岩戸　薫 , 薫岩戸
申请人： 富士フイルム株式会社
专利权人： 富士フイルム株式会社
当前专利权人： 富士フイルム株式会社
优先权： JP2010208625 2010-09-16
主分类号： G03F7/038
IPC分类号： G03F7/038 ; G03F7/004 ; G03F7/039 ; G03F7/32 ; H01L21/027

パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜

公开/授权文献

JP2012083730A Pattern forming method, chemically amplified resist composition and resist film 公开/授权日：2012-04-26

信息查询

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IPC分类:

G	物理
G03	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F	图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G）
G03F7/00	图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L21/00，H05K）
G03F7/004	.感光材料（G03F7/12，G03F7/14优先）
G03F7/038	..高分子化合物被制备成不溶解的或非均匀可湿的（G03F7/075优先；高分子叠氮化合物入G03F7/012；高分子重氮化合物入G03F7/021）