Invention Patent
- Patent Title: 埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザ
- Patent Title (English): Production method and the buried heterostructure semiconductor laser of the buried heterostructure semiconductor laser
- Patent Title (中): 制造方法和掩埋异质结构半导体激光器的掩埋式异质半导体激光
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Application No.: JP2011155991Application Date: 2011-07-14
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Publication No.: JP5803366B2Publication Date: 2015-11-04
- Inventor: 辻 幸洋
- Applicant: 住友電気工業株式会社
- Applicant Address: 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
- Assignee: 住友電気工業株式会社
- Current Assignee: 住友電気工業株式会社
- Current Assignee Address: 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
- Agent 長谷川 芳樹; 黒木 義樹; 近藤 伊知良; 鈴木 英彦
- Main IPC: H01S5/34
- IPC: H01S5/34 ; H01L21/3065 ; H01L21/306 ; H01L21/205 ; H01S5/227
Public/Granted literature
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