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Invention Patent
JP5871203B1 酸素プラズマエッチング用レジスト材料、レジスト膜、及びそれを用いた積層体 有权
抗蚀氧等离子体蚀刻材料，抗蚀剂膜，并使用相同的层叠体

  • Patent Title: 酸素プラズマエッチング用レジスト材料、レジスト膜、及びそれを用いた積層体
  • Patent Title (English): Resist material for the oxygen plasma etching, the resist film, and a laminate using the same
  • Patent Title (中): 抗蚀氧等离子体蚀刻材料，抗蚀剂膜，并使用相同的层叠体
  • Application No.: JP2015534851
    Application Date: 2015-03-12
  • Publication No.: JP5871203B1
    Publication Date: 2016-03-01
  • Inventor: 矢木 直人 , 伊部 武史 , 谷本 尚志 , 矢田 真
  • Applicant: DIC株式会社
  • Applicant Address: 東京都板橋区坂下3丁目35番58号
  • Assignee: DIC株式会社
  • Current Assignee: DIC株式会社
  • Current Assignee Address: 東京都板橋区坂下3丁目35番58号
  • Agent 河野 通洋
  • Priority: JP2014051740 2014-03-14
  • International Application: JP2015057282 JP 2015-03-12
  • Main IPC: G03F7/20
  • IPC: G03F7/20 ;  C08F299/08 ;  C08F290/14 ;  H01L21/027
酸素プラズマエッチング用レジスト材料、レジスト膜、及びそれを用いた積層体
Abstract:
一般式(1)および/または一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基および/または加水分解性シリル基とを有するポリシロキサンセグメント(a1)と、ビニル系重合体セグメント(a2)とを有する複合樹脂(A)を含有するドライエッチング用レジスト材料であって、 該酸素プラズマエッチング用レジスト材料の全固形分量中の珪素原子の含有量が15〜45wt%であることを特徴とする酸素プラズマエッチング用レジスト材料を提供する。
Abstract(Chinese):

式（1）和/或式和由（2）表示的结构单元，和具有硅烷醇基和/或水解性甲硅烷基（A1）的聚硅氧烷链段，所述乙烯系聚合物链段（a2） 抗蚀剂材料含有复合树脂干蚀刻（a）具有的赌注，在氧等离子体蚀刻的总固体成分中的硅原子含量的抗蚀剂材料的特征在于具有15〜45％重量 提供氧等离子体蚀刻抗蚀剂材料。

Abstract(English):

Formula (1) and / or formula and structural unit represented by (2), and a polysiloxane segment having a silanol group and / or a hydrolyzable silyl group (a1), the vinyl-based polymer segment (a2) a resist material for dry etching containing composite resin (a) having a preparative,
A resist material for the oxygen plasma etching, wherein the content of the silicon atoms in the total solid content of the oxygen plasma etch resist material is 15~45wt%.

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