发明专利
- 专利标题： 不純物拡散組成物および半導体素子の製造方法
- 专利标题（英）： JP6361505B2 - Production method of the impurity diffusion compositions and semiconductor devices
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申请号： JP2014531030申请日： 2014-06-30
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公开(公告)号： JP6361505B2公开(公告)日： 2018-07-25
- 发明人: 稲葉 智雄 , 村瀬 清一郎 , 清水 浩二 , 旦 浩一 , 諏訪 充史
- 申请人： 東レ株式会社
- 申请人地址： 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号
- 专利权人： 東レ株式会社
- 当前专利权人： 東レ株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号
- 优先权： JP2013140375 2013-07-04 JP2013230879 2013-11-07
- 国际申请： JP2014067343 JP 2014-06-30
- 国际公布： WO2015002132 JP 2015-01-08
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/068 ; H01L21/225
公开/授权文献
- JPWO2015002132A1 不純物拡散組成物および半導体素子の製造方法 公开/授权日：2017-02-23
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