- 专利标题： 過フッ素化ビニルエーテルの部分フッ素化飽和エーテル誘導体への変換
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申请号： JP2018533250申请日： 2016-12-20
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公开(公告)号： JP6691220B2公开(公告)日： 2020-04-28
- 发明人: マルクス エー. ヒルシュベルク , クラウス ヒンツァー , ツァイ−ミン チウ , ゲルト−フォルカー レーシェンターラー , ロマナ パイケルト , セルゲイ エン.トゥベルドメド
- 申请人： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
- 申请人地址： アメリカ合衆国,ミネソタ州 55133−3427,セント ポール,ポスト オフィス ボックス 33427,スリーエム センター
- 专利权人： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
- 当前专利权人： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国,ミネソタ州 55133−3427,セント ポール,ポスト オフィス ボックス 33427,スリーエム センター
- 代理商 青木 篤; 三橋 真二; 高橋 正俊; 胡田 尚則; 河原 肇
- 优先权： US62/387,598 2015-12-24
- 国际申请： US2016067674 JP 2016-12-20
- 国际公布： WO2017112629 JP 2017-06-29
- 主分类号： C07C41/30
- IPC分类号： C07C41/30 ; C07C249/02 ; C07C253/18 ; C07C41/18
公开/授权文献
- JP2019500373A 過フッ素化ビニルエーテルの部分フッ素化飽和エーテル誘導体への変換 公开/授权日：2019-01-10
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