Invention Patent
- Patent Title: 半導体装置用ボンディングワイヤ
- Patent Title (English): Bonding wires for semiconductor device
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Application No.: JP2009524506Application Date: 2008-07-24
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Publication No.: JPWO2009014168A1Publication Date: 2010-10-07
- Inventor: 宇野 智裕 , 智裕 宇野 , 木村 圭一 , 圭一 木村 , 寺嶋 晋一 , 晋一 寺嶋 , 山田 隆 , 隆 山田 , 景仁 西林 , 景仁 西林
- Applicant: 新日鉄マテリアルズ株式会社 , 株式会社日鉄マイクロメタル
- Assignee: 新日鉄マテリアルズ株式会社,株式会社日鉄マイクロメタル
- Current Assignee: 新日鉄マテリアルズ株式会社,株式会社日鉄マイクロメタル
- Priority: JP2007192193 2007-07-24
- Main IPC: H01L21/60
- IPC: H01L21/60 ; H01B5/02
Abstract:
本発明は、材料費が安価で、ボール接合性、熱サイクル試験またはリフロー試験の信頼性に優れ、保管寿命も良好である、狭ピッチ用細線化にも適応する銅系ボンディングワイヤを提供することを目的とする。銅を主成分とする芯材と、前記芯材の上に設けられた、前記芯材と、成分及び組成のいずれか一方又は両方の異なる金属M及び銅を含有する外層を有するボンディングワイヤであって、前記外層の厚さが0.021〜0.12μmであることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。
Public/Granted literature
- JP4542203B2 Bonding wire for semiconductor device Public/Granted day:2010-09-08
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IPC分类: