Invention Patent
- Patent Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device
- Patent Title (中): 制造半导体器件的方法和半导体器件
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Application No.: JP2015515915Application Date: 2014-05-09
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Publication No.: JPWO2014181883A1Publication Date: 2017-02-23
- Inventor: 和優 木戸 , 隆 齋藤 , 恭平 福田 , 慎司 多田 , 文彦 百瀬 , 芳孝 西村
- Applicant: 富士電機株式会社
- Applicant Address: 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- Assignee: 富士電機株式会社
- Current Assignee: 富士電機株式会社
- Current Assignee Address: 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- Agent 酒井 昭徳
- Priority: JP2013100651 2013-05-10
- Main IPC: H01L21/52
- IPC: H01L21/52 ; B23K1/00

Abstract:
はんだ接合層は、マトリクスに分散した第1結晶部(21)同士の結晶粒界に微細粒状の複数の第2結晶部(22)が析出した構造を有する。第1結晶部(21)は、錫とアンチモンとを所定の割合で含む複数のSn結晶粒である。第2結晶部(22)は、Sn原子に対してAg原子を所定の割合で含む第1部分、または、Sn原子に対してCu原子を所定の割合で含む第2部分、もしくはその両方で構成される。また、はんだ接合層は、Sn原子に対してSb原子を所定の割合で含む結晶粒である第3結晶部(23)を有しても良い。これにより、低融点でのはんだ接合を可能とし、実質的に均一な金属組織を有し、信頼性の高いはんだ接合層を形成することができる。
Public/Granted literature
- JP6128211B2 半導体装置および半導体装置の製造方法 Public/Granted day:2017-05-17
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IPC分类: