- 专利标题: 熱電変換素子、n型熱電変換層、および、n型熱電変換層形成用組成物
- 专利标题(英): Thermoelectric conversion elements, n-type thermoelectric conversion layer, and, n-type thermoelectric conversion layer forming composition
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申请号: JP2016547393申请日: 2015-09-01
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公开(公告)号: JPWO2016039225A1公开(公告)日: 2017-08-10
- 发明人: 裕三 永田 , 裕三 永田 , 寛記 杉浦 , 寛記 杉浦 , 林 直之 , 直之 林 , 野村 公篤 , 公篤 野村
- 申请人: 富士フイルム株式会社
- 申请人地址: 東京都港区西麻布2丁目26番30号
- 专利权人: 富士フイルム株式会社
- 当前专利权人: 富士フイルム株式会社
- 当前专利权人地址: 東京都港区西麻布2丁目26番30号
- 代理商 渡辺 望稔; 三和 晴子; 伊東 秀明; 三橋 史生
- 优先权: JP2014182085 2014-09-08 JP2015048252 2015-03-11
- 主分类号: H01L35/24
- IPC分类号: H01L35/24 ; C08K3/04 ; C08L71/02 ; C08L101/00 ; H01L35/22 ; H01L35/32 ; H01L51/00 ; H01L51/30
摘要:
本発明は、導電率および熱起電力に優れ、かつ、高熱環境下でも熱起電力の変化が抑制されたn型熱電変換層、および、このn型熱電変換層を有する熱電変換素子、n型熱電変換層形成用組成物を提供する。本発明の熱電変換素子は、n型熱電変換層と、n型熱電変換層と電気的に接続されたp型熱電変換層とを有し、n型熱電変換層が、カーボンナノチューブと、一般式(1)で表される繰り返し単位を含む化合物とを含有する、熱電変換素子。一般式(1)中、L1は、2価の炭化水素基を表す。nは、2以上の整数を表す。Xは、−O−、−CH(OH)−、−S−、−OC(=O)O−、−C(=O)−、−OC(=O)−、または、または、アミド基を含む2価の基を表す。
公开/授权文献
- JP6283118B2 熱電変換素子、n型熱電変換層、および、n型熱電変換層形成用組成物 公开/授权日:2018-02-21
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