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KR100799014B1 초 미세 입체구조의 제조 방법 및 그 장치 有权
制造超细三维结构的方法与装置

초 미세 입체구조의 제조 방법 및 그 장치
摘要：
집속 이온빔 장치를 이용한 디포지션 기술로서, 원료 가스로서 페난트렌을, 이온으로서 액체금속 이온원 으로부터 5 내지 100keV의 갈륨 또는 금, 실리콘, 베릴륨 등의 이온을 사용하고, 가스 분사 밀도를 종래의 디포지션의 경우보다 5 내지 10 정도 높게 하고, 가스 분사 방향을 등방향 또는 대칭적으로 하여 실행하는 방법을 채용한다.
摘要（英）：

As a deposition technique using a focused ion beam device, a phenanthrene as a source gas, as the ions using the ion such as gallium or gold, silicon, beryllium 5 to 100keV from a liquid metal ion source, and a gas injection density Conventional deposition higher than in the case of 5 to 10 degree, and employing the method for execution by a gas jet in the direction such as the direction or symmetrical.

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