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KR101605610B1 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스 有权
半导体器件及其半导体器件的制造方法

반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스
摘要:
본발명의일 실시예는반도체디바이스의제조방법및 이에따른반도체디바이스에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는미세재배선층이필요한부분의연결을위해웨이퍼팹 또는회로기판을이용한인터포저를이용하고, 나머지정상재배선층을팬-아웃범핑기술을이용하여형성함으로써, 패키징레벨에서의장비및 설비투자를최소화하고미세재배선층의기능구현이용이한반도체디바이스의제조방법및 이에따른반도체디바이스를제공하는데있다. 이를위해본 발명은다수의반도체다이를접착테이프위에배열하는단계; 상기접착테이프위의반도체다이를인캡슐란트로인캡슐레이션하는단계; 상기접착테이프를제거하고, 상기반도체다이및 인캡슐란트의표면에제1재배선층을형성하는단계; 상기제1재배선층에인터포저를전기적으로접속하여, 상기다수의반도체다이가상호간전기적으로연결되도록하는단계; 및상기제1재배선층에솔더볼을접속하는단계를포함하는반도체디바이스의제조방법및 이에따른반도체디바이스를개시한다.
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