• 专利标题: 폴리아미드산 입자의 제조 방법, 폴리이미드 입자의 제조 방법, 폴리이미드 입자 및 전자 부품용 접합재
  • 专利标题(英): KR101848114B1 - Production method for polyamide acid particles, production method for polyimide particles, polyimide particles and bonding material for electronic component
  • 申请号: KR1020137018507
    申请日: 2011-12-14
  • 公开(公告)号: KR101848114B1
    公开(公告)日: 2018-04-11
  • 发明人: 하야시사토시
  • 申请人: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
  • 申请人地址: *-*, Nishitemma *-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osakafu, Japan
  • 专利权人: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
  • 当前专利权人: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
  • 当前专利权人地址: *-*, Nishitemma *-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osakafu, Japan
  • 代理商 특허법인코리아나
  • 优先权: JPJP-P-2010-282020 2010-12-17; JPJP-P-2011-046613 2011-03-03; JPJP-P-2011-064744 2011-03-23
  • 国际申请: PCT/JP2011/078899 2011-12-14
  • 国际公布: WO2012081615 2012-06-21
  • 主分类号: C08G73/10
  • IPC分类号: C08G73/10 C08G69/26 H01L21/52 H01L21/60
폴리아미드산 입자의 제조 방법, 폴리이미드 입자의 제조 방법, 폴리이미드 입자 및 전자 부품용 접합재
摘要:
본발명은평균입경이작고내열성이높은폴리이미드입자의원료로서사용되는폴리아미드산입자의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 또, 본발명은, 그폴리아미드산입자의제조방법을사용한폴리이미드입자의제조방법, 및, 그폴리이미드입자의제조방법에의해얻어지는폴리이미드입자를제공하는것을목적으로한다. 또, 본발명은, 경화후에는유리전이온도이하의온도영역에있어서의선팽창률및 탄성률이낮아져, 신뢰성이높은접합체를얻을수 있는전자부품용접합재를제공하는것을목적으로한다. 본발명은, 디아민화합물이용해된용액을조제하는공정과, 물리적충격을가하면서, 비용액상태의무수테트라카르복실산을상기디아민화합물이용해된용액에첨가하고, 폴리아미드산입자를석출시키는공정을갖는폴리아미드산입자의제조방법이다.
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