희토류 자석의 제조 방법
Abstract:
본방법은: (Rl)(Rh)TBM의조성을가진소결체를제조하는단계; 상기소결체에열간변형가공을실시함으로써전구체를제조하는단계; 및 450℃ ~ 700℃의 온도범위에서상기전구체에시효처리를실시함으로써희토류자석을제조하는단계를포함한다. 상기방법에서, 상기주상은 (RlRh)TB 상으로형성된다. 입자계면상에서 (RlRh)TB의함량은 0 질량% 초과 50 질량% 이하이다. Rl 은경희토류원소를나타낸다. Rh 는중희토류원소를나타낸다. T 는천이금속을나타낸다. M 은 Ga, Al, Cu 및 Co 중적어도 1 종을나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 R1, Rh, T, B 및 M 의질량% 를나타낸다. x, y, z, s 및 t 는다음의식: 27≤x≤44, 0≤y≤10, z=100-x-y-s-t, 0.75≤s≤3.4, 0≤t≤3 으로나타낸다.
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