发明授权
- 专利标题: 막형성 조성물 및 이온주입방법
- 专利标题(英): KR101880201B1 - Film forming composition and ion implantation method
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申请号: KR1020147024393申请日: 2013-02-08
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公开(公告)号: KR101880201B1公开(公告)日: 2018-07-20
- 发明人: 오하시,토모야 , 키시오카,타카히로
- 申请人: 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
- 申请人地址: 일본 도쿄도지요다구 간다니시키쵸 *쵸메 *반지*
- 专利权人: 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
- 当前专利权人: 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
- 当前专利权人地址: 일본 도쿄도지요다구 간다니시키쵸 *쵸메 *반지*
- 代理商 특허법인씨엔에스
- 优先权: JPJP-P-2012-026074 2012-02-09
- 国际申请: PCT/JP2013/053110 2013-02-08
- 国际公布: WO2013118879 2013-08-15
- 主分类号: H01L21/265
- IPC分类号: H01L21/265 ; C08L101/00 ; G03F7/11 ; H01L21/027
摘要:
[과제] 이온주입방법및 이온주입용막형성조성물및 레지스트하층막형성조성물을제공하는것. [해결수단] 13족, 14족, 15족또는 16족의원소를포함하는화합물및 유기용제를포함하는막형성조성물을기판상에도포하고베이크하여막을형성하는공정, 불순물이온을상기막의상방으로부터상기막을개재하여상기기판에주입함과동시에, 상기막 중의 13족, 14족, 15족또는 16족의원소를상기기판중에도입하는공정을포함하는, 이온주입방법. 상기막형성조성물은, 13족, 14족, 15족또는 16족의원소를포함하는화합물및 유기용제를포함하는이온주입용막형성조성물이다. 또한, 적어도 2개의붕산에스테르기를가지는화합물을포함하는레지스트하층막형성조성물이다.
公开/授权文献
- KR1020140133834A 막형성 조성물 및 이온주입방법 公开/授权日:2014-11-20
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