- 专利标题： 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
- 专利标题（英）： KR101885995B1 - Monomer, polymer, resist composition, and patterning process
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申请号： KR1020170047213申请日： 2017-04-12
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公开(公告)号： KR101885995B1公开(公告)日： 2018-08-06
- 发明人: 후지와라다카유키
- 申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 申请人地址： 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
- 专利权人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 当前专利权人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
- 代理商 김진회; 김태홍
- 优先权： JPJP-P-2016-080899 2016-04-14
- 主分类号： C07C307/02
- IPC分类号： C07C307/02 ; C08F20/38 ; C08F20/22 ; G03F7/004 ; G03F7/038 ; G03F7/16 ; G03F7/32 ; G03F7/20
摘要：
[과제] 본발명은, ArF 엑시머레이저광, EB, EUV 등의고에너지선을광원으로한 포토리소그래피에있어서, 산확산이작고, 고감도또한고해상성이며, MEF, LWR이나 CDU 등의리소그래피성능의밸런스가우수하고, 또한상용성이우수하여디펙트가발현되기어려운화학증폭형레지스트조성물에사용되는단량체등을제공하는것을목적으로한다. [해결수단] 하기식 (1)로표시되는단량체.
公开/授权文献
- KR1020170117884A 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 公开/授权日：2017-10-24
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