利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
KR101911629B1 기판 내에 리세스들을 형성하기 위한 더미 핀 에칭 有权

기판 내에 리세스들을 형성하기 위한 더미 핀 에칭
摘要：
집적회로구조물은, 복수의반도체스트립들을갖는반도체기판, 복수의반도체스트립들중 2개의인접해있는반도체스트립들에의해형성되는제 1 리세스, 제 1 리세스내에형성되는제 2 리세스, 및제 1 리세스와제 2 리세스내에제공되는격리영역을포함한다. 제 2 리세스는제 1 리세스보다낮은깊이를갖는다.
摘要（英）：

The integrated circuit structure has a plurality of formed by the semiconductor substrate, the semiconductor strip to the two adjacent ones of a plurality of semiconductor strip having semiconductor strip first recess, the first Li second recess formed in the recess, and the first recess and first comprises the isolation region provided in the second recess. The second recess has a lower depth than the first recess.

信息查询
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
0/0