- 专利标题: 자기 냉동 재료 및 자기 냉동 디바이스
- 专利标题(英): KR101921220B1 - Magnetic refrigeration material and magnetic refrigeration device
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申请号: KR1020147002486申请日: 2012-06-22
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公开(公告)号: KR101921220B1公开(公告)日: 2018-11-22
- 发明人: 이리에토시오
- 申请人: 가부시키가이샤 산도쿠
- 申请人地址: 일본 *** 효고켄 고베시 히가시나다쿠 후카에기타마치 *쵸메 **반 **고
- 专利权人: 가부시키가이샤 산도쿠
- 当前专利权人: 가부시키가이샤 산도쿠
- 当前专利权人地址: 일본 *** 효고켄 고베시 히가시나다쿠 후카에기타마치 *쵸메 **반 **고
- 代理商 특허법인와이에스장
- 优先权: JPJP-P-2011-162548 2011-07-05
- 国际申请: PCT/JP2012/065953 2012-06-22
- 国际公布: WO2013005579 2013-01-10
- 主分类号: C22C38/00
- IPC分类号: C22C38/00 ; F25B21/00
摘要:
퀴리온도가 250K 이상이며, 또한영구자석에의한자장변화가가능하다고생각되는 2테슬라부근까지에서, 종래의냉동성능을대폭초과하는자기냉동재료를제공한다. 이자기냉동재료는, 식 LaRE(FeSiCoXYZ)(RE: La를제외한, Sc, Y를포함하는희토류원소중 적어도 1종, X: Ga 및/또는 Al, Y: Ge, Sn, B, C 중적어도 1종, Z: Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Zn, Zr 중적어도 1종, 0.03≤a≤0.17, 0.003≤b≤0.06, 0.02≤c≤0.10, 0≤d≤0.04, 0≤e≤0.04, 0≤f≤0.50)으로표시되고, 평균결정립직경이 0.01㎛이상 3㎛이하, 퀴리온도가 250K 이상, 또한 2테슬라까지의자장변화에있어서의자기엔트로피변화량(-ΔS)의최대값(-ΔS)이 5J/kgK 이상인물성을갖는다.
公开/授权文献
- KR1020140044884A 자기 냉동 재료 및 자기 냉동 디바이스 公开/授权日:2014-04-15
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