发明公开
- 专利标题： 반도체 소자 및 그 형성 방법
- 专利标题（英）： Semiconductor Device and Method for Manufacturing the same
- 专利标题（中）： 半导体器件及其制造方法
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申请号： KR1020080041443申请日： 2008-05-02
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公开(公告)号： KR1020090115539A公开(公告)日： 2009-11-05
- 发明人: 장치환 , 여태연
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理商 특허법인태평양
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; B82B3/00 ; B82Y40/00
摘要：
PURPOSE: A semiconductor device and a method for forming the same are provided to improve a low power characteristic through the same effect as a recess gate by forming a cylindrical CNT(Carbon Nano Tube). CONSTITUTION: An insulation layer(130) is formed on a semiconductor substrate(100). A CNT gate(190) is formed by growing a CNT seed layer on the insulation layer. The CNT gate is formed on the recess formed by etching the semiconductor substrate. The insulation material insulates the CNT gate. A CNT pattern is formed by etching the CNT seed layer using a CNT pattern mask. The CNT pattern(165) is grown.
公开/授权文献
- KR101010115B1 반도체 소자 및 그 형성 방법 公开/授权日：2011-01-24
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