Invention Publication
- Patent Title: 채널 이동도가 증가한 반도체 소자 및 이를 제조하기 위한 건식 화학 공정
- Patent Title (English): Wet chemistry processes for fabricating a semiconductor device with increased channel mobility
- Patent Title (中): 用于制造具有增加的通道移动性的半导体器件的湿化学方法
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Application No.: KR1020147015854Application Date: 2012-06-26
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Publication No.: KR1020140085595APublication Date: 2014-07-07
- Inventor: 다르,사리트 , 청,린 , 류,세형 , 아가르왈,아난트,쿠마르 , 팔무르,존,윌리암스 , 마키,에릭 , 거개너스,제이슨 , 리히텐왈너,다니엘,제너
- Applicant: 크리, 인코포레이티드
- Applicant Address: **** Silicon Drive Durham, NC ***** United States of America
- Assignee: 크리, 인코포레이티드
- Current Assignee: 크리, 인코포레이티드
- Current Assignee Address: **** Silicon Drive Durham, NC ***** United States of America
- Agent 양영준; 백만기
- Priority: US13/229,266 2011-09-09; US61/501,460 2011-06-27
- International Application: PCT/US2012/044199 2012-06-26
- International Announcement: WO2013003348 2013-01-03
- Main IPC: H01L21/28
- IPC: H01L21/28 ; H01L29/51 ; H01L21/314 ; H01L21/331 ; H01L21/336 ; H01L29/16
Abstract:
채널 이동도가 증가한 반도체 소자 및 그의 제조 방법의 실시형태가 개시된다. 한 실시형태에서, 반도체 소자는 채널 영역을 포함하는 기판, 및 채널 영역 위의 기판 상의 게이트 스택을 포함한다. 게이트 스택은 알칼리 토금속을 포함한다. 한 실시형태에서, 알칼리 토금속은 바륨(Ba)이다. 다른 실시형태에서, 알칼리 토금속은 스트론튬(Sr)이다. 알칼리 토금속은 반도체 소자의 채널 이동도의 상당한 개선을 초래한다.
Public/Granted literature
- KR101660142B1 채널 이동도가 증가한 반도체 소자 및 이를 제조하기 위한 건식 화학 공정 Public/Granted day:2016-09-26
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IPC分类:
