发明公开
- 专利标题: 알루미나 소결체 및 광학 소자용 하지 기판
- 专利标题(英): Alumina sintered body and ground substrate for optical element
- 专利标题(中): Al2O3烧结体和用于光学元件的下层基板
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申请号: KR1020177006237申请日: 2015-11-20
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公开(公告)号: KR1020170088823A公开(公告)日: 2017-08-02
- 发明人: 마츠시마기요시 , 와타나베모리미치 , 사토게이 , 나나타키츠토무
- 申请人: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 申请人地址: *-** Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, ***-**** Japan
- 专利权人: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 当前专利权人: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 当前专利权人地址: *-** Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, ***-**** Japan
- 代理商 김태홍; 김진회
- 优先权: JPJP-P-2014-241683 2014-11-28
- 国际申请: PCT/JP2015/082644 2015-11-20
- 国际公布: WO2016084722 2016-06-02
- 主分类号: C04B35/10
- IPC分类号: C04B35/10 ; C04B35/64 ; G02B1/00
摘要:
본발명의알루미나소결체는, 판면에대하여 X선을조사하였을때의 2θ=20°∼70°의범위에있어서의 X선회절프로파일을이용하여로트게링법(Lotgering method)에따라구한 c면배향도가 90% 이상이고, 판면과수직인방향으로절단한단면을 Ar이온빔과차폐판을이용하여연마한후 주사형전자현미경으로배율 5000배로조사하였을때의기공의수가제로이며, Mg, C 이외의불순물원소의합계의질량비율이 100 ppm 이하인것이다. 이알루미나소결체는, 고배향, 고밀도, 고순도이기때문에, 종래에비해서높은투광성을가지고있다.
公开/授权文献
- KR102376825B1 알루미나 소결체 및 광학 소자용 하지 기판 公开/授权日:2022-03-21
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