Invention Grant
- Patent Title: 신규한 메모리 디바이스
- Patent Title (English): KR102233077B1 - Novel memory device
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Application No.: KR1020180162202Application Date: 2018-12-14
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Publication No.: KR102233077B1Publication Date: 2021-03-30
- Inventor: 치유-더 , 시이-춘 , 리우치엔-인
- Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- Applicant Address: No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- Assignee: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- Current Assignee: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- Current Assignee Address: No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- Agent 김태홍; 김진회
- Priority: US62/616,985 2018-01-12; US16/159,214 2018-10-12
- Main IPC: G11C16/34
- IPC: G11C16/34 ; G11C16/10 ; G11C29/00 ; G06F11/10 ; G11C16/08
Abstract:
방법은각각복수의데이터비트를갖는복수의데이터워드를메모리디바이스의각각의비트셀에기록하는단계와, 상기복수의데이터워드의모든데이터비트가상기메모리디바이스의각각의비트셀에정확하게기록된것은아니다라는결정에응답하여, 상기복수의데이터워드를복수의데이터워드세트로서그룹핑하는단계와, 상기메모리디바이스의각각의비트셀에정확하게기록되지않은데이터비트의서브세트를동시에재기록하는단계를포함하고, 상기데이터비트의서브세트는상기복수의데이터워드세트의각각의데이터워드세트에포함된다.
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