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发明授权
KR102481255B1 도금 처리 방법, 도금 처리 장치 및 기억 매체 有权

  • 专利标题： 도금 처리 방법, 도금 처리 장치 및 기억 매체
  • 专利标题（英）： PLATING METHOD, PLATING DEVICE, AND STORAGE MEDIUM
  • 申请号： KR1020197012076
    申请日： 2017-08-29
  • 公开(公告)号： KR102481255B1
    公开(公告)日： 2022-12-26
  • 优先权： JPJP-P-2016-210914 2016-10-27
  • 国际申请： PCT/JP2017/030993 2017-08-29
  • 国际公布： WO2018079055 2018-05-03
  • 主分类号： C23C18/16
  • IPC分类号： C23C18/16 ;  C23C18/31 ;  C23C18/30
도금 처리 방법, 도금 처리 장치 및 기억 매체
摘要：
표면에도금불가재료부분(31)과도금가능재료부분(32)이형성된기판(W)을준비하고, 기판(W)에대하여촉매부여처리를행함으로써, 도금가능재료부분(32)에대하여선택적으로촉매를부여한다. 이어서, 기판(W)에대하여도금액(M1)을공급함으로써, 도금가능재료부분(32)에대하여선택적으로도금층(35)을형성한다. 도금액(M1)은도금불가재료부분(31)에도금층(35)이석출되는것을억제하는억제제를함유한다.
摘要（英）：

A substrate W having a non-plateable material portion 31 and a plateable material portion 32 formed on a surface thereof is prepared, and then, a catalyst is selectively imparted to the plateable material portion 32 by performing a catalyst imparting processing on the substrate W. Thereafter, a plating layer 35 is selectively formed on the plateable material portion 32 by supplying a plating liquid M1 onto the substrate W. The plating liquid M1 contains an inhibitor which suppresses the plating layer 35 from being precipitated on the non-plateable material portion 31.

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