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发明专利
TW200802645A 保護層上形成有後護層結構的半導體晶片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER 审中-公开
保护层上形成有后护层结构的半导体芯片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER

保護層上形成有後護層結構的半導體晶片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER
摘要：
本發明係提供一種保護層上形成有後護層結構的半導體晶片,其包括一圖案化金屬層在保護層上。此圖案化金屬層包括一第一接墊,且第一接墊連接保護層之開口所暴露出的一第二接墊。一金屬凸塊位在第一接墊上以及位在複數半導體元件上方,且此金屬凸塊包括厚度介於8微米至50微米之間的金。
摘要（中）：

本发明系提供一种保护层上形成有后护层结构的半导体芯片,其包括一图案化金属层在保护层上。此图案化金属层包括一第一接垫,且第一接垫连接保护层之开口所暴露出的一第二接垫。一金属凸块位在第一接垫上以及位在复数半导体组件上方,且此金属凸块包括厚度介于8微米至50微米之间的金。

摘要（英）：

The invention provides a semiconductor chip comprising a patterned metal layer over said passivation layer. The patterned metal layer comprises a first contact pad connected to a second contact pad exposed by an opening in a passivation layer. A metal bump is on the first contact pad and over multiple semiconductor devices, wherein the metal bump has more than 50 percent by weight of gold and has a height of between 8 and 50 microns.

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