发明专利
TW200807586A 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
审中-公开
半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
- 专利标题: 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
- 专利标题(英): Semiconductor device and manufacturing method for the same
- 专利标题(中): 半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
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申请号: TW095146261申请日: 2006-12-11
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公开(公告)号: TW200807586A公开(公告)日: 2008-02-01
- 发明人: 西村隆雄 NISHIMURA, TAKAO , 成澤良明 NARISAWA, YOSHIAKI
- 申请人: 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
- 申请人地址: 日本
- 专利权人: 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人: 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址: 日本
- 代理商 惲軼群; 陳文郎
- 优先权: 日本 2006-205381 20060727
- 主分类号: H01L
- IPC分类号: H01L
摘要:
本發明提供了一個小型、高性能之半導體元件,其防止相鄰導線之間互相接觸,以增加佈線設計之彈性,並提供了用於製造半導體元件的一個有效率方法。半導體元件包括一塊在其表面上配置了一個電極之基板;以及一個在其表面上配置了一個電極且由基板支撐的第一半導體構件,其中有一條第一導線透過第一凸塊接至基板及半導體構件上方的至少其中一個電極(亦即電極21及22之中至少其中一個),並有一條第二導線透過第二凸塊接至導線的一個接合部分。
公开/授权文献
- TWI369746B 半導體元件(一) SEMICONDUCTOR DEVICE 公开/授权日:2012-08-01
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